Основой современной силовой преобразовательной техники и многих устройств импульсной техники являются тиристоры. Широко используются полупроводниковые приборы с ВАХ 5-типа и в качестве активных элементов интегральных схем, в оптоэлектронике. Схематическое изображение структуры тиристора, представляющей собой четыре области с чередующимся типом проводимости разделенные тремя.

Внешние области четырехслойной структуры называются эмиттерами а внутренние — базами, соответственно крайние р-n переходы эмиттерными, а центральный переход — коллекторным. Тиристор имеет три электрода — анод, катод и управляющий электрод. Обычно для объяснения характера ВАХ используется двух-транзисторная аналогия. Транзисторный эквивалент четырехслойной структуры представляется в виде двух транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером так, что базовый вывод одного связан с коллекторным выводом другого и наоборот. В результате этого транзисторы охвачены положительной обратной связью по току, глубина которой определяется коэффициентами передачи тока составных транзисторов.

Поскольку а1 и а2 зависят от тока эмиттера и коллекторного напряжения, то изменяя приложенное к тиристору напряжение или ток управления, можно управлять значениями, а следовательно, и ВАХ тиристора. Если a1+a2>l, оба транзистора переходят в режим насыщения, когда коллекторные переходы смещаются в прямом направлении и падение напряжения на структуре мало, тиристор находится в открытом состоянии.